1N5709B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5709B
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内容描述：	突发性的变容二极管 [ABRUPT VARACTOR DIODE]
分类和应用：	二极管变容二极管
文件页数/大小：	1 页 / 20 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

1N5709B

突发性的变容二极管

封装形式DO- 7

描述：

该

ASI 1N5709B

是一个突然的变容二极管

二极管，设计用于通用

应用程序。

最大额定值

DISS

英镑

20 nA的

70 V

400毫瓦@ T

= 25 °C

-65 ° C至+175 ℃，

-65℃ 〜+ 200 ℃，

250 ° C / W

无

特征

符号

T60

= 10

µA

= 60 V

= 25 °C

测试条件

最低

典型

最大

单位

µA

= 150 °C

= 4.0 V

= 4.0 V/V

= 60 V

= 4.0 V

F = 1.0 MHz的

F = 50MHz的

77.9

3.2

150

86.1

3.4

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1202

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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