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型号: 2N3375
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 22 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
2N3375
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI 2N3375
是专为
A类,B ,C放大器,振荡器和
驱动应用领域涵盖了
VHF- UHF地区。
封装形式TO- 60 (隔离)
功能包括:
独立包装
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
1.5 A
40 V
11.6 W¯¯ @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
15 C / W
O
O
O
O
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CEX
BV
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
C
ob
f
t
P
OUT
G
P
η
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
C
= 200毫安
V
BE
= -1.5 V
I
C
= 500
µA
V
CE
= 30 V
V
EB
= 4.0 V
V
CE
= 5.0 V
I
C
= 500毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
V
CE
= 28 V
I
C
= 150毫安
P
in
= 1.0 W
I
C
= 250毫安
I
B
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
F = 100 MHz的
F = 400 MHz的
I
C
= 100毫安
最小典型最大
40
65
65
100
100
10
1.0
10
500
3.0
4.8
40
单位
V
V
V
µ
A
µ
A
---
V
pF
兆赫
W
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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