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    2N3570 参数 Datasheet PDF下载

    2N3570图片预览
    型号： 2N3570
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 19 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    2N3570
    NPN硅高频三极管
    描述：
    该
    2N3570
    被设计用于高
    高频低噪声放大器和
    振荡器的应用。
    最大额定值
    I
    C
    V
    CB
    V
    CE
    V
    EB
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    O
    O
    封装类型TO- 72
    50毫安
    30 V
    15 V
    3.0 V
    200毫瓦@ T
    C
    = 25 C
    -65℃至+ 200C
    -65℃至+ 200C
    500℃ / W
    O
    O
    O
    O
    1 - 发射极
    3 - 集电极
    2 - 基
    4 = CASE
    特征
    符号
    BV
    首席执行官
    BV
    CBO
    I
    CBO
    BV
    EBO
    h
    FE
    C
    ob
    h
    FE
    h
    fe
    r
    b
    ´
    C
    C
    P
    OSC
    N
    F
    I
    C
    = 2毫安
    I
    C
    = 1.0
    µA
    V
    CB
    = 6.0 V
    T
    C
    = 25 C
    O
    无
    测试条件
    最小典型最大
    15
    30
    10
    T
    A
    = 150 C
    O
    单位
    V
    V
    µ
    A
    V
    1.0
    3.0
    20
    150
    0.75
    20
    150
    4.25
    5
    60
    6
    7
    6
    8
    3.75
    1
    ---
    pF
    ---
    ---
    pF
    mW
    dB
    I
    E
    = 10
    µA
    V
    CE
    = 6.0 V
    V
    CB
    = 6 V
    V
    CE
    = 6 V
    V
    CE
    = 6 V
    V
    CB
    = 6 V
    V
    CC
    = 20 V
    V
    CB
    = 6 V
    I
    C
    = 5毫安
    I
    C
    = 5毫安
    I
    E
    = -5毫安
    I
    C
    = 15毫安
    I
    C
    = 2毫安
    R
    G
    = 50
    Ω
    F = 400 MHz的
    F = 79.8兆赫
    F = 1.0 GHz的
    F = 1.0 GHz的
    I
    C
    = 5.0毫安
    F = 1.0 MHz的
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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