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2N918图片预览
型号: 2N918
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 19 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
NPN硅高频三极管
描述:
2N918
被设计用于高
高频低噪声放大器和
振荡器的应用。
封装形式TO- 72
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
50毫安
15 V
300毫瓦@ T
C
= 25 C
200毫瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
O
O
O
O
O
O
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
4 = CASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
CBO
BV
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
t
C
ob
C
ib
N
F
G
pe
P
OUT
η
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
C
= 3.0毫安
I
C
= 1.0
µA
V
CB
= 15 V
V
CB
= 15 V
I
E
= 10
µA
V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V
V
CB
= 0 V
V
CB
= 10 V
V
EB
= 0.5 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 12 V
V
CB
= 15 V
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 6.0毫安
I
C
= 8.0毫安
I
C
= 3.0毫安
I
B
= 1.0毫安
I
B
= 1.0毫安
I
C
= 4.0毫安
F = 100 MHz的
F = 140千赫
F = 140千赫
F = 140千赫
F = 60MHz的
F = 200 MHz的
F = 500 MHz的
T
A
= 150 C
O
最小典型最大
15
30
0.01
1.0
3.0
20
0.4
1.0
600
3.0
1.7
2.0
6.0
15
30
25
单位
V
V
µ
A
V
---
V
V
兆赫
pF
pF
dB
dB
mW
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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