2SC1972 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC1972
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 59 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

2SC1972

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI 2SC1972

是专为RF

在VHF频段的移动电源放大器

无线电应用。

功能包括：

•

取代原

2SC1972

大多数应用程序

高增益降低驱动器

需求

经济

TO-220CE

包

封装形式TO- 220AB （共发射极）

最大额定值

CBO

DISS

英镑

3.5 A

35 V

25瓦@ T

= 25 °C

-55 ° C至+175 ℃，

6.0 ° C / W

1 - 基地

2 - 发射极

3 =集电极片=辐射源

特征

符号

首席执行官

CBO

EBO

CBO

EBO

OUT

= 50毫安

= 10毫安

= 25 °C

测试条件

最小典型最大

4.0

100

500

单位

µA

---

CES

= 25 V

= 3.0 V

= 10 V

= 13.5 V

= 100毫安

= 2.5 W

F = 175 MHz的

180

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

1/1

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案