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型号: 2SC2879
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
2SC2879
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI 2SC2879
是12.5 V
晶体管主要用于SSB
线性功率放大器应用起来
TP 28兆赫。
包装样式0.500 4L FLG
.112x45°
L
A
,完全R
产品特点:
P
G
= 13典型。分钟。在100瓦/ 28兆赫
IMD
3
= -24 dBc的最大值。在100瓦
(PEP)
Omnigold ™
金属化系统
E
C
Ø.125 NOM 。
C
B
B
E
H
D
G
F
E
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
25 A
45 V
18 V
4.0 V
250W的@ T
C
= 25 °C
-65 ° C至+175 ℃,
-65 ° C至+175 ℃,
0.6 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.980 / 24.89
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
最低
英寸/毫米
I J
K
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
C
OB
G
P
η
C
IMD
3
Z
IN
Z
OUT
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CE
= 12.5 V
P
OUT
= 100 W
V
CC
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
I
空闲
= 100毫安
I
C
= 10 A
F = 1.0 MHz的
F = 28 MHz的
最小典型最大
45
18
4.0
10
700
13.0
35
---
---
15.2
-24
150
单位
V
V
V
---
pF
dB
%
dBc的
P
OUT
= 100 W
P
OUT
= 100 W
F = 28 MHz的
F = 28 MHz的
1.45 – j0.95
1.45 – J1.0
---
---
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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