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    2SC3133 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3133图片预览
    型号： 2SC3133
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管功率双极晶体管射频放大器局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 65 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    2SC3133
    NPN硅射频功率晶体管
    封装形式TO- 220AB （共发射极）
    描述：
    该
    ASI 2SC3133
    是专为RF
    在HF频段移动无线功率放大器
    应用程序。
    最大额定值
    I
    C
    V
    CE
    V
    CB
    P
    DISS
    T
    英镑
    θ
    JC
    6.0 A
    25 V
    60 V
    20瓦@ T
    C
    = 25 °C
    -65 ° C至+150°C
    6.25 ° C / W
    1 - 基地
    3 - 集电极
    2 - 发射极
    TAB =辐射源
    特征
    符号
    BV
    首席执行官
    BV
    CBO
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    P
    O
    η
    C
    I
    C
    = 10毫安
    T
    C
    = 25 °C
    测试条件
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    E
    = 1.0毫安
    V
    CB
    = 30 V
    V
    EB
    = 4.0 V
    V
    CE
    = 12 V
    V
    CC
    = 12 V
    I
    C
    = 10毫安
    P
    IN
    = 0.5 W
    F = 27MHz的
    最小典型最大
    25
    60
    5.0
    500
    500
    10
    13
    60
    50
    16
    70
    180
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    ---
    dB
    %
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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