ALR200 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ALR200
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 21 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

ALR200

NPN硅射频功率晶体管

包装风格.400 2L FLG （ A）

描述：

该

ASI ALR200

是专为

2xR

4x .062 x 45°

2xB

.040 x 45°

产品特点：

•

输入匹配网络

•

Omnigold ™

金属化系统

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.135 / 3.43

.100 / 2.54

.050 / 1.27

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.193 / 4.90

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.690 / 17.53

.890 / 22.61

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.145 / 3.68

.120 / 3.05

最大额定值

DISS

英镑

16 A

40 V

575 W¯¯ @ T

= 25

-65

C至+250

-65℃至+ 200C

0.26

C / W

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

.510 / 12.95

.710 / 18.03

.910 / 23.11

.006 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

订货编号： ASI10515

特征

符号

CBO

CES

EBO

CES

= 50毫安

= 30毫安

= 40 V

= 25 C

NONETEST

条件

最小典型最大

3.0

单位

---

= 5.0 V

= 40 V

GHz的

= 500毫安

OUT

= 200 W

F = 1.2〜1.4

7.0

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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