AM0912-300 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM0912-300
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内容描述：	RF功率晶体管 [RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	2 页 / 36 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

AM0912-300

RF功率晶体管

包装 - .400 2L FLG （ A）

4x .062 x 45°

2xB

.040 x 45°

描述：

该

ASI AM0912-300

是一个普通的

基础晶体管设计用于DME

和TACAN脉冲功率放大器

应用程序。

2xR

功能包括：

•

镀金

•

气密封装

•

输入/输出匹配

暗淡

M INIMU M

英寸/ M M

M IM AX UM

英寸/ M M

.135 / 3.43

.100 / 2.54

.050 / 1.27

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.193 / 4.90

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.690 / 17.53

.890 / 22.61

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.145 / 3.68

.120 / 3.05

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

.510 / 12.95

.710 / 18.03

.910 / 23.11

.006 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

最大额定值

DISS

英镑

24 A

50 V

940 W¯¯ @ T

≤

100 °C

-65 ° C到+ 250℃的

-65℃ 〜+ 200 ℃，

0.16 ° C / W

特征

符号

CBO

CER

EBO

CES

OUT

= 50毫安

= 15毫安

= 50 V

= 25 °C

测试条件

= 10

Ω

最小典型最大

3.0

单位

---

= 5.0 V

= 5.0 A

300

7.0

330

7.4

F = 960至1215兆赫

= 60 W

= 50 V

脉冲宽度= 10

µS

占空比= 10 ％

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

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