AM1011-075
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI AM1011-075
是一种高功率
针对L波段C级晶体管
航空电子脉冲输出和驱动器
应用程序。
包装风格.400 2L FLG （ A）
4x .062 x 45°
2xB
A
.040 x 45°
C
E
G
I
L
N
M
ð IM
M IN IM ü M
英寸/ M M
F
D
产品特点：
•
内部输入/输出匹配网络
•
P
G
= 9.2分贝分钟。在75 W / 1090 MHz的
•
Omnigold ™
金属化系统
2xR
H
J
K
P
M AXIM ü M
英寸/ M M
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
5.4 A
55 V
175W的@ T
C
= 25 °C
-65 ° C到+ 250℃的
-65℃ 〜+ 200 ℃，
0.86 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.135 / 3.43
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.690 / 17.53
.890 / 22.61
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.145 / 3.68
.120 / 3.05
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
.510 / 12.95
.710 / 18.03
.910 / 23.11
.006 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 4.0毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
Ω
最小典型最大
65
65
3.5
6.0
单位
V
V
V
mA
---
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
I
C
= 1.0 A
P
IN
= 9.0 W
F = 1090 MHz的
10
9.2
48
9.7
56
dB
%
脉冲宽度= 32微秒，占空比= 2 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
