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AM1517-025M 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM1517-025M
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管局域网
文件页数/大小: 1 页 / 72 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
AM1517-025M
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI 1517-025M
是专为
卫星通信应用
在1620至1660年MHz范围内。
包装风格.400 2NL FLG
A
.025 x 45°
2个B
C
F
ØD
E
4x .062 x 45°
产品特点:
内部输入/输出匹配网络
P
G
= 8.5分贝25 W / 1.5 - 1.7 GHz的
Omnigold ™
金属化系统
G
H
I
J
K
P
M
ð IM
A
M IN IM ü M
英寸/ M M
L
N
M A X IM ü米
英寸/ M M
.020 / 0.51
.100 / 2.54
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.39 5 / 10.03
.193 / 4.90
.450 / 11.43
.12 5 / 3.18
.64 0 / 16.26
.890 / 22.61
.39 5 / 10.03
.004 / 0.10
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.030 / 0.76
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.5 A
30 V
45瓦@ T
C
100 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65℃ 〜+ 200 ℃,
3.3 C / W
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.660 / 16.76
.910 / 23.11
.415 / 10.54
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
公共基础
特征
符号
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 8.0毫安
I
E
= 8.0毫安
V
CE
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
IN
= 3.5 W
P
OUT
= 25 W
I
C
= 1.6 A
F = 1.0 MHz的
F = 1620至1660年兆赫
最小典型最大
45
3.0
2.0
15
150
80
8.5
55
58
单位
V
V
mA
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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