AM82731-003 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AM82731-003
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内容描述：	NPN RF功率晶体管 [NPN RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 60 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

AM82731-003

NPN RF功率晶体管

描述：

该

AM82731-003

是一个普通的

基本设备专为脉冲S-

波段雷达脉冲驱动器应用。

封装类型400 2NL FLG

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

功能包括：

2个B

4x .062 x 45°

ØD

.025 x 45°

.020 / 0.51

.100 / 2.54

.376 / 9.55

.110 / 2.79

.395 / 10.03

.193 / 4.90

.450 / 11.43

.125 / 3.18

.640 / 16.26

.890 / 22.61

.395 / 10.03

.004 / 0.10

.052 / 1.32

.118 / 3.00

.030 / 0.76

.396 / 10.06

.130 / 3.30

.407 / 10.34

•

输入/输出匹配

•

镀金

•

发射极镇流

.660 / 16.76

.910 / 23.11

.415 / 10.54

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.131 / 3.33

.230 / 5.84

最大额定值

DISS

英镑

0.9 A

34 V

23瓦@ T

= 25 °C

-65 ° C到+ 250℃

-65 ° C到+ 200℃

6.5 ° C / W

1 = COLLECTOR

2 & 4 = BASE

3 =发射器

特征

符号

CBO

CER

EBO

CES

OUT

注意：

= 25 °C

测试条件

= 2.0毫安

= 1.0毫安

= 30 V

= 5 V

= 30 V

= 200毫安

= 0.8 W

F = 2.7〜 3.1千兆赫

= 10

Ω

最低

3.5

典型的最大

单位

2.0

3.0

5.7

4.0

7.0

---

脉冲宽度= 100

μS

占空比= 10 ％

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

启示录

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