ASAT10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	ASAT10
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 20 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

ASAT10

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI ASAT10

是专为

包装风格.250 2L FLG （ A）

.020 x 45°

Ø 0.130 NOM 。

.050 x 45°

产品特点：

•

输入匹配网络

•

Omnigold ™

金属化系统

D C

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

2.3 A

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

45 V

15 V

3.5 V

29 W¯¯ @ T

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

6.0

C / W

.055 / 1.40

.124 / 3.15

.243 / 6.17

.635 / 16.13

.555 / 14.10

.739 / 18.77

.315 / 8.00

.002 / 0.05

.055 / 1.40

.075 / 1.91

.245 / 6.22

.092 / 2.34

.065 / 1.65

.253 / 6.43

.665 / 16.89

.565 / 14.35

.749 / 19.02

.325 / 8.26

.006 / 0.15

.065 / 1.65

.095 / 2.41

.190 / 4.83

.255 / 6.48

订货编号： ASI10517

特征

符号

CBO

首席执行官

EBO

= 25 C

NONETEST

条件

= 3.0毫安

= 5.0 V

= 28 V

OUT

= 10 W

= 600毫安

F = 1.0 MHz的

F = 1.65 GHz的

最小典型最大

3.5

150

7.0

单位

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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