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ASI4001图片预览
型号: ASI4001
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
ASI4001
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI 4001
是专为一般
目的CALSS C电源功放
申请高达4200 MHz的。
包装风格.250 2L FLG
A
ØD
C
E
.060 x 45°
倒角
B
产品特点:
P
G
=
5分贝分钟。 1.0 W / 4000 MHz的
密封包装微带
Omnigold ™
金属化系统
暗淡
A
L
G
H
J
F
I
K
P
MN
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.110 / 2.79
.117 / 2.97
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.032 / 0.81
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
0.25 A
30 V
7.0W的@ T
C
= 25
O
C
-65
O
C至+200
O
C
-65
O
C至+200
O
C
25
O
C / W
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
订货编号: ASI10542
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 1毫安
I
C
= 5毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 28 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
45
45
3.5
0.5
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 1.0 W
F = 4.0 GHz的
15
120
3.5
5.0
25
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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