AUR500
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
AUR500
被设计用于高
峰值功率&低占空比
应用中，在400-500兆赫。
E
包装风格.400 BAL FLG （ A）
B
A
，完全R
4X.060 ř
C
D
B
C
P
产品特点：
•
内部输入匹配网络
•
P
G
= 9.5分贝500W / 500MHz的
•
Omnigold ™
金属化系统
•
发射极镇流
•
Commomn基地
暗淡
E
F
H
K
J
G
I
N
L M
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CBO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
43.2 A
65 V
65 V
3.5 V
1167 W¯¯ @ T
C
= 25 C
-65
O
C至+200
O
C
-65
O
C至+150
O
C
0.15 C / W
O
O
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.210 / 5.33
.045 / 1.14
.125 / 3.18
.380 / 9.65
.770 / 19.56
.070 / 1.78
.215 / 5.46
.420 / 10.67
.645 / 16.38
.895 / 22.73
.002 / 0.05
.058 / 1.47
.115 / 2.92
.395 / 10.03
.230 / 5.84
.055 / 1.40
.135 / 3.43
.390 / 9.91
.830 / 21.08
.080 / 2.03
.235 / 5.97
.430 / 10.92
.655 / 16.64
.905 / 22.99
.006 / 0.15
.065 / 1.65
.130 / 3.30
.230 / 5.84
.405 / 10.29
订货编号： ASI10550
O
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
T
C
= 25 C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
65
3.5
15
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 40 V
I
C
= 5.0 A
P
OUT
= 500 W
F = 425 MHz的
00
9.5
50
200
注：脉冲宽度= 250 μS 。占空比= 10 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Rev. D的
1/5
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
