AVD090P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AVD090P
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小：	2 页 / 20 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

AVD090P

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI AVD090P

是专为

高的峰值功率&低占空比，

IFF ， DME和TACAN应用。

包装风格.280 4L丸（ A）

.100x45°

产品特点：

•

内部输入匹配网络

•

= 8.4分贝在90 W / 1150 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

ØG

最大额定值

DISS

英镑

1.0 A

PEAK

55 V

292瓦@ 25℃

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.6 ° C / W

暗淡

.275 / 6.99

最低

英寸/毫米

最大

.105 / 2.67

.205 / 5.21

.095 / 2.41

.195 / 4.95

1.000 / 25.40

.004 / 0.10

.050 / 1.27

.007 / 0.18

.065 / 1.65

.145 / 3.68

.285 / 7.21

订货编号： ASI10563

特征

符号

CBO

CER

EBO

CES

= 10毫安

= 25毫安

= 1.0毫安

= 50 V

= 5.0 V

= 50 V

= 13 W

= 25 °C

NONETEST

条件

= 10

Ω

最小典型最大

3.5

100

单位

---

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

OUT

= 90 W

F = 1025年至1150年兆赫

200

8.4

脉冲= 10 μS ，占空比= 1.0 ％

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

1/2

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