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AVF150图片预览
型号: AVF150
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 18 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
AVF150
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI AVF150
是一款高功率C级
晶体管,设计forIFF / DME / TACAN
应用程序在960-1215兆赫。
包装风格.250 2L FLG (B )
A
.100 X 45°
ØD
.088 x 45°
倒角
C
B
产品特点:
内部输入/输出匹配网络
P
G
= 8.2分贝在150W / 1150兆赫
Omnigold ™
金属化系统
30 : 1 VSWR负载能力
F
G
H
E
I
J
K
暗淡
A
B
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.095 / 2.41
1.050 / 26.67
.245 / 6.22
.120 / 3.05
.552 / 14.02
.790 / 20.07
.105 / 2.67
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
11 A
55 V
400瓦@ T
C
= 25 °C
-65 ° C到+ 250℃的
-65℃ 〜+ 200 ℃,
0.6 ° C / W
C
D
E
F
G
H
I
J
K
.255 / 6.48
.140 / 3.56
.572 / 14.53
.810 / 20.57
.285 / 7.24
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.120 / 3.05
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.130 / 3.30
.210 / 5.33
订货编号: ASI10570
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 25毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
65
3.5
10.5
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
I
C
= 300毫安
P
OUT
= 150 W
F = 1025年至1150年兆赫
5.0
8.5
40
120
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
启示录
C
1/1