AVF250 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AVF250
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	2 页 / 25 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

AVF250

NPN硅射频功率晶体管

包装风格.400 2NL FLG

描述：

该

ASI AVF250

是一款高功率讲座

Ç晶体管设计的IFF / BME / TACAN

应用程序在1025至1150年兆赫范围内。

2个B

ØD

4 x .0 6 2 x 4 5 °

.0 2 5 x 4 5 °

产品特点：

•

50 V工作电压

•

内部输入/输出匹配网络

•

= 8.0分贝在250W / 1090兆赫

•

Omnigold ™

金属化系统

•

5 ： 1 VSWR能力的

ð IM

M IN IM ü M

英寸/ M M

M A X IM ü米

英寸/ M M

.0 2 0 / 0 .5 1

.1 0 0 / 2 .5 4

.3 7 6 / 9 .5 5

.1 1 0 / 2 .7 9

.3 9 5 / 1 0 .0 3

.1 9 3 / 4 .9 0

.4 5 0 / 1 1 .4 3

.1 2 5 / 3 .1 8

.6 4 0 / 1 6 .2 6

.8 9 0 / 2 2 .6 1

.3 9 5 / 1 0 .0 3

.0 0 4 / 0 .1 0

.0 5 2 / 1 .3 2

.1 1 8 / 3 .0 0

.0 3 0 / 0 .7 6

.3 9 6 / 1 0 .0 6

.1 3 0 / 3 .3 0

.4 0 7 / 1 0 .3 4

最大额定值

DISS

英镑

20 A

50 V

575 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65 ° C到+ 250℃的

-65℃ 〜+ 200 ℃，

0.28 ° C / W

.6 6 0 / 1 6 .7 6

.9 1 0 / 2 3 .1 1

.4 1 5 / 1 0 .5 4

.0 0 7 / 0 .1 8

.0 7 2 / 1 .8 3

.1 3 1 / 3 .3 3

.2 3 0 / 5 .8 4

订货编号： ASI10571

特征

符号

CBO

CES

EBO

CES

= 35毫安

= 25毫安

= 15毫安

= 50 V

= 5.0 V

= 50 V

= 40 W

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

单位

---

= 1.0 A

OUT

= 250 W

F = 1030年至1090年兆赫

8.5

200

脉冲宽度= 20微秒，占空比为5 ％

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

1/2

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