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BFW13图片预览
型号: BFW13
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内容描述: N沟道FET硅耗尽型 [N-CHANNEL SILICON FET DEPLETION MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 19 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
BFW13
N沟道场效应晶体管的硅
耗尽型
描述:
ASI BFW13
是专为低
噪声视频放大器的应用
.
最大额定值
I
D
I
G
V
DS
V
DG
V
GS
P
合计
T
J
T
英镑
θ
JA
O
O
封装类型TO- 72
10毫安
5.0毫安
30 V
30 V
30 V
150毫瓦@ T
A
= 110 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
590℃ / W
O
O
O
O
1 - 来源
3 GATE =
2 - 漏
4 = SHIELD
订购代码:
ASI10832
特征
符号
I
GS
I
DSS
V
GS
V
( P) GS
Iy
fs
I
Iy
os
I
Iy
fs
I
Iy
os
I
C
国际空间站
C
rs
V
n
V
GS
= 10 V
T
C
= 25 C
O
测试条件
T
C
= 150 C
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
V
DS
= 15 V
I
D
= 200
µA
V
GS
= 0 V
I
D
= 50
µA
I
D
= 500帕
V
GS
= 0 V
I
D
= 200
µA
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
BW = 0.6至100赫兹
O
最小典型最大
100
100
0.2
0.1
1500
10
500
5.0
5.0
0.8
500
1.5
1.0
1.2
单位
pA
nA
mA
V
V
µ
S
µ
S
pF
nV
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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