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BLF246图片预览
型号: BLF246
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内容描述: 甚高频功率MOSFET [VHF POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
BLF246
甚高频功率MOSFET
N沟道增强模式
描述:
ASI BLF246
是一个垂直的D- MOS
晶体管专为大信号
在VHF放大器应用
频率范围。
功能包括:
P
G
= 13 dB,典型值在175兆赫
30:1
负载VSWR能力
Omnigold ™
金属化系统
包装样式0.380 4L FLG
最大额定值
I
D
V
DS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
13 A
65 V
±
20 V
130 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65 ° C至+150°C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
1.35 ° C / W
1 =排水
2 - 门
3&4 =源
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
g
fs
R
DS ( ON)
C
is
C
os
C
rs
P
G
η
D
I
D
= 50毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
I
DQ
= 0.1 A
T
C
= 25 °C
测试条件
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
I
D
= 50毫安
I
D
= 2.5 A
I
D
= 5.0 A
V
GS
= 0 V
P
OUT
= 80 W
F = 1.0 MHz的
F = 108兆赫
最低
65
典型的最大
2.5
1.0
单位
V
mA
µ
A
V
S
pF
dB
%
2.0
3.0
4.2
0.2
225
180
25
16
55
4.5
0.3
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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