BLF368 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLF368
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内容描述：	射频功率VDMOS晶体管 [RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 21 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

BLF368

射频功率VDMOS晶体管

描述：

该

ASI BLF368

是一种常见的双

源N沟道Enhancement-

模式VDMOS 。专为RF

应用程序。

封装类型.385X.850 4LFG

最大额定值

DSS

DISS

英镑

27 A

70 V

±20

465 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.35 ° C / W

1 & 2 =漏极

3 & 4 = GATE

5 =源

特征

符号

DSS

GSS

DSON

DSAT

国际空间站

OSS

RSS

= 28 V

= 0 V

= 25 °C

测试条件

= 120毫安

= 0 V

= 30 V

= V

= 5.0 V

= 15 A

= 10 V

= 0 V

= 1.2 A

F = 1.0 MHz的

OUT

= 300 W

最低

典型

最大

6.0

1.0

单位

姆欧

Ω

相对的

= 600毫安

= 10 V

= 20 V

= 28 V

F = 175 MHz的

1.0

7.2

5.0

300

192

7.0

20:1

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1202

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/1

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