BLV31 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLV31
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

BLV31

NPN硅射频功率晶体管

包装风格.280 4L螺柱

描述：

该

ASI BLV31

是专为使用

在甚高频放大器

45°

产品特点：

•

= 16.5分贝一般在224兆赫

•

Omnigold ™

金属化系统

最大额定值

DISS

英镑

60 V

48 W¯¯ @ T

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

3.5 C / W

ð IM

.1 7 5 / 4 .4 5

.2 7 5 / 6 .9 9

.2 4 5 / 6 .2 2

M | N IM ü M

于建华（E S） / M M

＃ 8 -3 2 U N c个

M A X IM ü米

于建华（E S） / M M

1 . 0 1 0 / 2 5 .6 5

.2 2 0 / 5 .5 9

.2 7 0 / 6 .8 6

.0 0 3 / 0 .0 8

.1 1 7 / 2 .9 7

.5 7 2 / 1 4 . 5 3

.1 3 0 / 3 .3 0

1 . 0 5 5 / 2 6 .8 0

.2 3 0 / 5 .8 4

.2 8 5 / 7 .2 4

.0 0 7 / 0 .1 8

.1 3 7 / 3 .4 8

.2 5 5 / 6 .4 8

.6 4 0 / 1 6 . 2 6

.2 1 7 / 5 .5 1

.2 8 5 / 7 .2 4

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

OUT

= 25 C

测试条件

= 100毫安

= 25毫安

= 10毫安

= 25 V

F = 224 MHz的

= 800毫安

T= 70

= 800毫安

F = 1.0 MHz的

= 2.5 W

= 0 V

最小典型最大

5.0

7.0*

16.5*

120

单位

---

* @ 25

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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