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BLV80-28 参数 Datasheet PDF下载

BLV80-28图片预览
型号: BLV80-28
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 19 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
BLV80-28
NPN硅射频功率晶体管
描述:
BLV80-28
是专为
28 VOLT
C类VHF电源
AmplifierApplications高达175兆赫
.
包装样式0.500 4L FLG
产品特点:
• η
C
= 65 %以上。在80W / 175兆赫
P
G
= 6.5分贝分钟。在80W / 175兆赫
Omnigold ™
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
9.0 A
65 V
35 V
117 W¯¯ @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
1.5 C / W
O
O
O
O
订货编号: ASI10797
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
V
CC
= 25 V
I
C
= 20毫安
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 25 V
V
CB
= 30 V
P
OUT
= 80 W
I
C
= 3.5 A
F = 1.0 MHz的
最小典型最大
65
35
4.0
1.5
15
100
150
6.5
7.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
F = 175 MHz的
65
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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