BLV99 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BLV99
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 27 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

BLV99

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLV99

是一个共发射极

器件专为放大器

应用高达860兆赫。

功能包括：

•

镀金

•

发射极镇流

•

高增益

封装类型205 4L螺柱

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

300毫安

45 V

25 V

3.5 V

5.3 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° CTO +150°C

33 ° C / W

1 = COLLECTOR

2 & 4 =辐射源

3 = BASE

特征

符号

CBO

CER

EBO

CBO

IMD

= 1.0毫安

= 10毫安

= 25 °C

测试条件

= 10

Ω

最小典型最大

3.5

1.0

单位

---

= 1.0毫安

= 5.0 V

= 5 V

= 24 V

= 20 V

OUT

= 0.5 W

= 150毫安

= 100毫安

F = 1.0 MHz的

F = 860 MHz的

3.5

-58

dBc的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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