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BLW33图片预览
型号: BLW33
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 17 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
BLW33
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI BLW33
是专为
电视,发射器,以及
转播应用高达860
兆赫。
包装风格.280 4L螺柱
A
45°
产品特点:
共发射极
B
C
E
B
P
G
= 10分贝1.0W / 860兆赫
Omnigold ™
金属化系统
E
F
E
D
C
J
最大额定值
I
C
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
1.25 A
50 V
30 V
4.0 V
19.4 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
9.0 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
I
G
H
K
最低
英寸/毫米
# 8-32 UNC
最大
英寸/毫米
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
订货编号: ASI10500
特征
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
IMD
1
I
C
= 30毫安
I
E
= 2.0毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 25 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 4.0毫安
最小典型最大
50
30
4.0
2.5
单位
V
V
V
mA
---
dB
dBc的
I
C
= 300毫安
I
C
= 300毫安
F = 860 MHz的
20
10
-60
40
120
V
CE
= 25 V
P
OUT
= 1.0 W
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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