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    C1-28 参数 Datasheet PDF下载

    C1-28图片预览
    型号： C1-28
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管射频
    文件页数/大小： 2 页 / 28 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号C1-28的Datasheet PDF文件第2页  
    C1-28
    NPN硅射频功率晶体管
    描述：
    该
    C1-28
    是专为28伏
    C类放大器的应用最多
    500兆赫。
    包装风格.280 4L丸
    A
    产品特点：
    •
    P
    G
    = 12 dB典型值。在1.0W / 400兆赫
    •
    η
    C
    = 65 ％典型。在1.0W / 400兆赫
    •
    Omnigold ™
    金属化系统
    C
    E
    B
    E
    ØC
    ØB
    最大额定值
    I
    C
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    O
    250毫安
    40 V
    28 V
    3.5 V
    7.0W的@ T
    C
    = 25
    O
    C
    -65℃至+ 200C
    -65
    O
    C至+150
    O
    C
    20
    O
    C / W
    T
    C
    = 25
    O
    C
    O
    暗淡
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    D
    E
    F
    最低
    英寸/毫米
    最大
    英寸/毫米
    .220 / 5.59
    .275 / 6.99
    .004 / 0.10
    .050 / 1.27
    .118 / 3.00
    .230 / 5.84
    1.055 / 26.80
    .285 / 7.24
    .006 / 0.15
    .060 . 1.52
    .130 / 3.30
    订货编号： ASI10791
    特征
    符号
    BV
    CBO
    BV
    CES
    BV
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    C
    OB
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    C
    = 5.0毫安
    I
    E
    = 5.0毫安
    V
    CB
    = 28 V
    V
    CE
    = 5.0 V
    V
    CB
    = 28 V
    兆赫
    V
    CE
    = 28 V
    NONETEST
    条件
    最小典型最大
    50
    50
    4.0
    500
    单位
    V
    V
    V
    µ
    A
    ---
    pF
    I
    C
    = 100毫安
    f = 1.0
    20
    3.5`
    120
    5.0
    P
    G
    η
    C
    P
    OUT
    = 1.0 W
    F = 400 MHz的
    10
    60
    12
    dB
    %
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/2

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