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C3-28图片预览
型号: C3-28
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 22 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
C3-28
NPN硅射频功率晶体管
描述:
C3-28
是专为A类,B
和C功率放大器应用最多
到500兆赫。
包装风格.280 4L螺柱
A
45°
C
B
产品特点:
P
G
= 13 dB典型值。在3.0 W / 400 MHz的
发射极平衡的耐用性
Omnigold ™
金属化系统
D
E
B
C
E
J
E
F
G
I
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
1.0 A
45 V
12 W @ T
C
= 25 C
-65〜 + 200C
-65〜 + 150℃
15
O
C / W
O
O
O
H
K
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
.175 / 4.45
.275 / 6.99
.245 / 6.22
.640 / 16.26
最低
英寸/毫米
# 8-32 UNC
最大
英寸/毫米
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
订货编号: ASI10810
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CBO
h
FE
F
t
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 5毫安
I
C
= 20毫安
I
E
= 5毫安
V
CE
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 20 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25
O
C
测试条件
R
BE
= 10
最小典型最大
45
45
3.5
500
单位
V
V
V
µ
A
---
兆赫
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 3.0 W
F = 400 MHz的
15
600
150
7.0
12
50
13
60
pF
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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