CD2315 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CD2315
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

CD2315

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI CD2315

是专为

宽带放大器应用

商业和业余

通讯设备。

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

Ø.125 NOM 。

，完全R

.125

产品特点：

•

= 18分贝分钟。在75 W / 30 MHz的

•

IMD

= -30 dBc的最大值。在75瓦

（PEP）

•

Omnigold ™

金属化系统

暗淡

H I

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

最大额定值

DISS

英镑

10 A

60 V

35 V

140瓦特@ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

1.05 ° C / W

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.240 / 6.10

.255 / 6.48

1 = COLLECTOR

2 - 发射极

3 = BASE

特征

符号

首席执行官

CER

EBO

CES

IMD

= 50毫安

= 10毫安

= 28 V

= 5.0 V

= 28 V

= 25 V

= 25 °C

NONETEST

条件

= 10

Ω

最小典型最大

4.0

单位

---

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

= 3.2 A

视力= -8分贝

边带= -16分贝

F = 225 MHz的

SND 。 = -7分贝

100

13.5

14.5

-55

REF

= 16 W

dBc的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/1

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