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    DKV6510-12 参数 Datasheet PDF下载

    DKV6510-12图片预览
    型号： DKV6510-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅超突变变容二极管 [SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE]
    分类和应用： 二极管变容二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 19 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    DKV6510-12
    硅超突变变容二极管
    描述：
    该
    ASI DKV6510-12
    是一种离子
    注入硅超突变变容二极管
    二极管专为倍频程调谐起来
    到500兆赫。
    功能包括：
    •
    大调谐比 -
    14:1
    典型值。
    •
    高
    Q – 700
    典型值。
    •
    密封玻璃
    DO-7
    包
    封装形式DO- 7
    最大额定值
    I
    F
    V
    R
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    百毫安
    12 V
    400毫瓦@ T
    C
    = 25
    O
    C
    -55
    O
    C至+150
    O
    C
    -65
    O
    C至+200
    O
    C
    无
    特征
    符号
    V
    BR
    I
    R
    C
    T2
    C
    T10
    C
    T2
    / C
    T10
    Q
    I
    R
    = 10
    µA
    V
    R
    = 10 V
    V
    R
    = 2.0 V
    V
    R
    = 10 V
    T
    C
    = 25
    O
    C
    测试条件
    最低
    12
    典型
    最大
    100
    单位
    V
    µ
    A
    pF
    pF
    ---
    ---
    F = 1.0 MHz的
    F = 1.0 MHz的
    F = 1.0 MHz的
    F = 1.0 MHz的
    45
    4.0
    10.0
    200
    700
    75
    7.0
    17.0
    V
    R
    = 2 & 10 V
    V
    R
    = 2.0 V
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    FAX （ 818 ） 765-300
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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