DKV6533C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DKV6533C
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内容描述：	硅超突变变容二极管 [SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE]
分类和应用：	二极管变容二极管
文件页数/大小：	1 页 / 25 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

DKV6533C

硅超突变变容二极管

描述：

该

DKV6533C

是专为UHF

滤波器和振荡器的应用

需要八度调整。

封装形式DO- 7

1.000 “分。

2个地方

.018”

.022”

产品特点：

•

= 4.6敏。在V

= 3 /20 V

•

= 450敏。在3 V / 50 MHz的

•

密闭

DO-7

包

.230”

.300”

.085”

.107”

最大额定值

DISS

英镑

50毫安

22 V

250毫瓦@ T

= 25

-55

C至+ 125

-55

C至+175

结束

正文：

蓝

阴极频带：

黑

信息：

镀锡

无

特征

符号

= 10

µA

= 20 V

= 3.0 V

= 8.0 V

= 20 V

= 25 C

测试条件

最低

典型

最大

100

单位

F = 1.0 MHz的

10.5

4.3

2.0

4.6

450

12.5

5.7

2.3

6.3

= 3 & 20 V

= 3.0 V

F = 1.0 MHz的

F = 50MHz的

---

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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