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DME2333-230 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DME2333-230
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内容描述: MEDIUM肖特基势垒二极管 [SCHOTTKY MEDIUM BARRIER DIODE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 1 页 / 25 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
DME2333-230
MEDIUM肖特基势垒二极管
封装类型820
描述:
ASI DME2333-230
是一个介质
势垒肖特基二极管设计
通用混频器应用。
功能包括:
小型
理想的MIC
最大额定值:
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
百毫安
75毫瓦@ T
A
= 25 °C
-65 ° C至+175 ℃,
-65 ° C至+175 ℃,
2000 ° C / W
特征
符号
V
B
V
F
R
S
C
J
I
R
= 10 µA
I
F
= 1毫安
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 0 V
T
C
= 25 °C
测试条件
最低
3.0
350
F = 1.0 MHz的
0.05
典型
最大
450
13
0.15
单位
V
mV
pF
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
版本B
1/1