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FMB075图片预览
型号: FMB075
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
FMB075
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI FMB075
是专为
A
包装样式0.500 4L FLG
.112x45°
L
产品特点:
Omnigold ™
金属化系统
,完全R
Ø.125 NOM 。
C
B
E
H
D
G
F
K
最大额定值
I
C
V
CB
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
10 A
60 V
35 V
140瓦特@ T
C
= 25 C
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 150℃
1.5 C / W
O
O
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.980 / 24.89
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
最低
英寸/毫米
I J
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
订货编号: ASI10587
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
E
= 28 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
35
60
4.0
5
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 75 W
F = 108兆赫
10
100
75
10
65
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1