HF10-12F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HF10-12F
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 21 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

HF10-12F

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI HF10-12F

是专为

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

产品特点：

•

= 20分贝分钟。在10W / 30兆赫

•

IMD

= -30 dBc的最大值。在10瓦

（PEP）

•

Omnigold ™

金属化系统

Ø.125 NOM 。

，完全R

.125

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

H I

4.5 A

36 V

18 V

4.0 V

80瓦@ T

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

2.2

C / W

暗淡

.240 / 6.10

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

订货编号： ASI10592

特征

符号

CBO

CES

首席执行官

EBO

CES

IMD

= 50毫安

= 5毫安

= 15 V

= 5.0 V

= 25

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

单位

---

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

= 25毫安

F = 30 MHz的

100

200

= 12.5 V

OUT

= 10 W

（PEP）

---

-30

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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