HF100-28 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HF100-28
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	2 页 / 77 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

HF100-28

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI HF100-28

为A级硅NPN

平面型晶体管，专为SSB

通信。扩散镇流提供

在额定工作高VSRW能力

条件。

包装样式0.500 4L FLG

.112x45°

产品特点：

•

= 15分贝分钟。在100瓦/ 30兆赫

•

高线性输出功率

•

IMD

= -30 dBc的最大值。在100瓦

（PEP）

•

Omnigold ™

金属化系统

•

28 V CE操作

，完全R

Ø.125 NOM 。

I J

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

20 A

65 V

36 V

4.0 V

270 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.65 ° C / W

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.720 / 18.28

.125 / 3.18

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.230 / 5.84

.255 / 6.48

.7.30 / 18.54

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

订货编号： ASI10608

特征

符号

首席执行官

CES

CBO

EBO

CES

IMD

= 25 °C

NONETEST

条件

= 100毫安

= 10毫安

= 30 V

= 5.0 V

= 30 V

= 28 V

= 3.16 W

= 5.0 A

F = 1.0 MHz的

放

= 100 W

= 30.001兆赫

最小典型最大

4.0

---

-34

-30

200

285

单位

---

dBc的

= 30.000 MHz的我

= 100毫安

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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