HF150-50S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HF150-50S
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 19 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

HF150-50S

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI HF150-50S

是专为

包装样式0.500 4L螺柱（ A）

.112 x 45°

Ø 0.630 NOM

产品特点：

•

= 14分贝分钟。在150瓦/ 30兆赫

•

IMD

= 100 dBc的最大值。在150瓦

（PEP）

•

Omnigold ™

金属化系统

B C

最大额定值

CBO

EBO

首席执行官

DISS

英镑

1 / 4-28 UNF -2A

10 A

110 V

4.0 V

55 V

233 W¯¯ @ T

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

0.75

C / W

暗淡

.185 / 4.70

.497 / 12.62

.545 / 13.84

.495 / 12.57

.003 / 0.08

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.050 / 26.67

.555 / 14.10

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.830 / 21.08

.198 / 5.03

.530 / 13.46

订货编号： ASI10613

特征

符号

CBO

CES

首席执行官

EBO

首席执行官

CES

IMD

= 100毫安

= 10毫安

= 30 V

= 60 V

= 6 V

= 50 V

= 25

NONETEST

条件

最小典型最大

110

4.0

单位

---

dBc的

= 1.4 A

F = 1.0 MHz的

43.5

220

= 50 V

-100毫安

OUT

= 150 W

（PEP）

-30

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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