HF20-12S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HF20-12S
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管射频
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

HF20-12S

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI HF20-12S

是专为

12.5 V AB类& Ç高频电源

在2到32的放大器应用

MHz频段。

包装样式0.380 4L螺柱

.112x45°

产品特点：

•

= 15分贝分钟。在20W / 30兆赫

•

IMD

= -30 dBc的最大值。在20瓦特

（PEP）

•

Omnigold ™

金属化系统

•

发射极镇流

ØC

＃ 8-32 UNC -2A

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

4.5 A

36 V

18 V

4.0 V

80瓦@ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

2.2 C / W

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

订货编号： ASI10595

特征

符号

CBO

CES

首席执行官

EBO

CES

IMD

= 50毫安

= 5.0毫安

= 15 V

= 5.0 V

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

单位

---

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

± 25毫安

F = 30 MHz的

100

200

= 12.5 V

OUT

= 20 W

（PEP）

-30

dBc的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本B

1/1

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