HF250-50
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI HF250-50
是专为
包装样式0.500 4L FLG
.112x45°
A
，完全R
L
产品特点：
•
P
G
= 14分贝分钟。在220 W / 30 MHz的
•
IMD
3
= 150 dBc的最大值。在220 W¯¯
（PEP）
•
Omnigold ™
金属化系统
C
B
E
C
Ø.125 NOM 。
B
D
G
F
E
E
H
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
40 A
110 V
55 V
4.0 V
140瓦特@ T
C
= 25
O
C
-65
O
C至+200
O
C
-65
O
C至+150
O
C
0.40
O
C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.980 / 24.89
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
最低
英寸/毫米
I J
K
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
订货编号： ASI10615
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
首席执行官
I
CES
h
FE
C
ob
G
P
IMD
3
η
C
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 20毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 6.0 V
V
CB
= 50 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
最小典型最大
55
110
4.0
10
10
单位
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
dBc的
%
I
C
= 10 A
F = 1.0 MHz的
15
45
360
14.5
V
CE
= 50 V
I
CQ
= 150毫安
P
OUT
= 250 W
（PEP）
37
-30
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
