欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HF30-28F 参数 Datasheet PDF下载

HF30-28F图片预览
型号: HF30-28F
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
HF30-28F
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI HF30-28F
是专为
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点:
P
G
= 20分贝分钟。在30W / 30兆赫
IMD
3
= -30 dBc的最大值。在30瓦
(PEP)
Omnigold ™
金属化系统
F
E
B
C
D
E
C
E
Ø.125 NOM 。
,完全R
J
.125
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
G
H I
5.0 A
65 V
35 V
4.0 V
60瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
2.9
O
C / W
O
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号: ASI10604
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
C
OB
G
P
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
65
35
4.0
10
1.0
单位
V
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
P
IN
= 7.0 W
F = 175 MHz的
5
200
65
7.6
60
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1