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HF8-28F 参数 Datasheet PDF下载

HF8-28F图片预览
型号: HF8-28F
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
HF8-28F
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI HF8-28F
是专为
包装样式0.380 4L FLG
产品特点:
P
G
= 21分贝分钟。 8 W / 30 MHz的
IMD
3
= -30 dBc的最大值。在8 W
(PEP)
Omnigold ™
金属化系统
B
.112 x 45°
A
E
B
C
E
C
D
E
Ø.125 NOM 。
,完全R
J
.125
最大额定值
F
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
1.0 A
65 V
35 V
65 V
4.0 V
13.0 W¯¯ @ T
C
= 25
O
C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
13.5
O
C / W
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
G
H I
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号: ASI10600
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
G
P
P
OUT
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CC
= 28 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
最小典型最大
35
65
65
4.0
1.0
单位
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
W
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
P
IN
= 1.0 W
F = 150 MHz的
5.0
---
15
10
10
---
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1