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LT1001A图片预览
型号: LT1001A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 16 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
LT1001A
NPN硅高频三极管
封装形式TO- 39
B
ØA
45°
C
描述:
E
ØD
ASILT1001A
是一种高
高频三极管专为
高增益低噪声CATV和
美亚放大器应用。
F
G
H
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
200毫安
20 V
2.5瓦@ T
C
= 50 C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65℃ 〜+ 200 ℃,
70 ° C / W
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
.016 / 0.407
.029 / 0.740
.028 / 0.720
.335 / 8.510
.305 / 7.750
.240 / 6.100
.500 / 12.700
.020 / 0.508
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.200 / 5.080
.045 / 1.140
.034 / 0.860
.370 / 9.370
.335 / 8.500
.260 / 6.600
1 - 发射极
2 - 基
3 =收集器( CASE )
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
t
C
cb
NF
G
UMAX
T
A
= 25 °C
测试条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 1.0毫安
I
E
= 100
µA
V
CB
= 10 V
V
CE
= 5.0 V
I
C
= 50毫安
V
CE
= 14 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 8.0 V
V
CE
= 14 V
I
C
= 50毫安
I
C
= 90毫安
I
C
= 50毫安
I
B
= 5.0毫安
I
C
= 90毫安
F = 300 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 300 MHz的
F = 300 MHz的
最低
20
40
3.5
典型
最大
单位
V
V
V
50
70
500
3.0
1.6
2.5
15
300
µ
A
---
mV
GHz的
pF
dB
dB
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1