MRAL1720-5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRAL1720-5
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 27 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

MRAL1720-5

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI MRAL1720-5

设计

对于C类，公共基础宽带

大信号放大器应用起来

至2.0GHz 。

封装类型400 4L FLG

产品特点：

•

扩散镇流电阻。

•

内部匹配网络

•

Omnigold ™

金属化系统

最大额定值

CES

EBO

英镑

1.0 A

（续）

42 V

3.5 V

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

8.0 ° C / W

特征

符号

CES

EBO

CBO

= 40毫安

- 0.5毫安

= 22 V

= 5.0 V

= 28 V

= 22 V

= 25 °C

无

测试条件

最小典型最大单位

3.5

1.0

---

100

8.0

6.5

= 200毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 5.0 W

F = 1.7千兆赫& 2.0 GHz的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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