欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

MRF151G 参数 Datasheet PDF下载

MRF151G图片预览
型号: MRF151G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 射频场效应功率晶体管 [RF FIELD-EFFECT POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 21 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
MRF151G
射频场效应功率晶体管
描述:
ASI MRF151G
是一个双
共源N沟道
增强型MOSFET
RF功率晶体管,为设计
175兆赫, 300瓦发射器和
放大器应用。
封装类型.385X.850 4LFG
最大额定值
I
D
V
DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
40 A
125 V
±40
V
500瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
0.35 C / W
O
O
O
O
1 & 2 =漏极
3 & 4 = GATE
5 =源
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
DS ( ON)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
η
ψ
V
DS
= 50 V
V
DS
= 0 V
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 300 W
最低
125
典型
最大
5.0
1.0
单位
V
mA
µ
A
V
V
姆欧
I
D
= 100毫安
I
D
= 10 A
I
D
= 5.0 A
V
DS
= 50 V
V
DD
= 50 V
F = 175 MHz的
1.0
5.0
350
250
15
14
50
16
55
5.0
5
pF
dB
%
V
SWR
= 5:1
在所有相位角
在输出功率不降低
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1202
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1