MRF150 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF150
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内容描述：	硅射频功率MOSFET [SILICON RF POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 19 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

MRF150

硅射频功率MOSFET

描述：

该

MRF150

是一个N沟道

增强型MOS宽带

RF Ppwer晶体管专为

宽带大信号放大器

应用程序从2.0至150兆赫。

包装样式0.500 4L FLG

.112x45°

，完全R

Ø.125 NOM 。

最大额定值

DSS

DISS

英镑

16 A

125 V

40 V

300瓦@ T

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

10 C / W

暗淡

.980 / 24.89

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.245 / 6.22

.720 / 18.28

.125 / 3.18

最低

英寸/毫米

I J

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.125 / 3.18

.230 / 5.84

.255 / 6.48

.7.30 / 18.54

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

特征

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

= 25 C

测试条件

= 100毫安

DSS

= 50 V

= 20 V

= 10 V

= 0 V

= 100毫安

最小典型最大

125

5.0

1.0

350

250

17.0

5.0

单位

姆欧

= 50 V

= 0 V

F = 1.0 MHz的

= 50 V

= 250毫安

OUT

= 150 W

（PEP）

FO = 30 & 30.001兆赫

VSWR = 30 ： 1

在所有相位角

NO DEGRADRADATION输出功率

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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