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MRF171图片预览
型号: MRF171
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内容描述: N沟道增强型TMOS RF FET [N-Channel Enhancement Mode TMOS RF FET]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 1 页 / 35 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
MRF171
TMOS RF FET
N沟道增强模式
描述:
ASI MRF171
是一个金的金属化
N沟道增强模式
的MOSFET ,旨在用于28伏直流电
大信号应用为200 ​​MHz。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点:
S
D
S
C
D
E
Ø.125 NOM 。
,完全R
J
.125
P
G
= 12分贝分钟,在150兆赫
Omnigold ™
金属化系统
2 - 200 MHz运行
G
F
I
GH
最大额定值
I
D
V
DSS
V
DGR
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
4.5 A
65 V
65 V
±
40 V
115 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
1.52 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
η
T
C
= 25 °C
测试条件
I
DS
= 10毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 25毫安
I
D
= 1 A
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
最低
65
典型的最大
5.0
1.0
单位
V
mA
µA
V
姆欧
1.0
0.7
55
70
14
12
50
15
60
6.0
V
DS
= 28 V
V
DD
= 28 V
F = 150 MHz的
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 25毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 45 W
pF
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
1/1