MRF172 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF172
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内容描述：	甚高频功率MOSFET N沟道增强模式 [VHF POWER MOSFET N-Channel Enhancement Mode]
分类和应用：	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
文件页数/大小：	1 页 / 18 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

MRF172

甚高频功率MOSFET

N沟道增强模式

描述：

该

ASI MRF172

是专为

宽带大信号输出

在2.0-200兆赫驱动阶段

频率范围。

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

产品特点：

•

= 10分贝最小。在150兆赫

•

30 ： 1 VSWR负载

能力

•

Omnigold ™

金属化系统

Ø.125 NOM 。

，完全R

.125

最大额定值

DSS

DISS

英镑

9.0 A

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

65 V

±40

220 W¯¯ @ T

= 25 °C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

0.8 ° C / W

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.240 / 6.10

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.255 / 6.48

订货编号： ASI10830

无

特征

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

国际空间站

OSS

RSS

= 25 °C

测试条件

= 50毫安

= 28 V

= 0 V

= 50毫安

= 2.5 A

= 0 V

= 20 V

= 10 V

最低

典型的最大

5.0

1.0

单位

姆欧

1.0

1.5

200

110

5.0

= 28 V

= 0 V

= 50毫安

F = 1.0 MHz的

OUT

= 80 W

F = 150 MHz的

SWR

= 30:1

在所有相位角

在输出功率不降低

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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