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    MRF175GU 参数 Datasheet PDF下载

    MRF175GU图片预览
    型号： MRF175GU
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管 [RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 34 K
    品牌： ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
       
    MRF175GU
    射频功率场效应晶体管
    描述：
    该
    ASI MRF175GU
    是一个N沟道
    增强型推拉式
    MOSFET ，专为FM和TV
    固态发射机应用起来
    到500兆赫。
    包装样式
    最大额定值
    I
    D
    V
    DSS
    P
    DISS
    T
    J
    T
    英镑
    θ
    JC
    26 A
    65 V
    400瓦@ T
    C
    = 25
    O
    C
    -65
    O
    C至+200
    O
    C
    -65
    O
    C至+150
    O
    C
    0.44 C / W
    O
    1 =排水
    2 =漏极（ 2 ）
    3 =门（1）
    4 =门（2）
    5 =源（ 1&2 ）情况
    特征
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    V
    DS （ ON）
    g
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    G
    ps
    η
    ψ
    I
    D
    = 50毫安
    V
    DS
    = 28 V
    V
    DS
    = 0 V
    T
    C
    = 25 C
    O
    无
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 20 V
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 10 V
    V
    DS
    = 10 V
    V
    GS
    = 0 V
    F = 1.0 MHz的
    最小典型最大
    65
    2.5
    1.0
    1.0
    2.0
    3.0
    3.0
    180
    200
    20
    10
    50
    10:1
    12
    55
    ---
    6.0
    1.5
    单位
    V
    mA
    µA
    V
    V
    姆欧
    pF
    I
    D
    -100毫安
    I
    D
    = 5.0 A
    I
    D
    = 2.5 A
    V
    DS
    = 28 V
    V
    DD
    = 28 V
    I
    DQ
    = 2×百毫安
    P
    OUT
    = 150 W
    F = 400 MHz的
    dB
    %
    ---
    A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
    7525 ETHEL AVENUE
    •
    北好莱坞， CA 91605
    •
    (818) 982-1200
    •
    传真（ 818 ） 765-3004
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    REV 。一
    1/1

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