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MRF390图片预览
型号: MRF390
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 1 页 / 18 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
   
MRF390
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI MRF390
是一个普通的
发射设备专为A类,
AB和C放大器中的应用
100 - 500 MHz的军事
通信频段。
包装风格.400 8L FLG
C
D
B
A
2
G
F
E
.19 25
.125
1
1
2
˚F ü LL ř
O
2
3
H
I
J
3
2
4× 0.0 60读取
功能包括:
黄金金属化
发射极镇流
输入匹配
K
N
L M
ð IM
A
B
M IN IM UM
英寸S / M M
M A X IM ü米
英寸S / M M
.030 / 0.76
.115 / 2.92
.360 / 9.14
.065 / 1.65
.130 / 3.30
.380 / 9.65
.735 / 18 .6 7
.645 / 16 .3 8
.895 / 22 .7 3
.420 / 10 .6 7
.003 / 0.08
.120 / 3.05
.159 / 4.04
.395 / 10 .0 3
.390 / 9.91
.765 / 19 .4 3
.655 / 16 .6 4
.905 / 22 .9 9
.430 / 10 .9 2
.007 / 0.18
.130 / 3.30
.175 / 4.45
.280 / 7.11
.405 / 10 .2 9
.075 / 1.91
.125 / 3.18
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
7.0 A
60 V
140瓦特@ T
C
= 25 C
-55℃至+ 200C
-55℃至+ 200C
1.25 C / W
O
O
O
O
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
C
ob
h
FE
P
g
η
c
T
C
= 25 C
O
测试条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 28 V
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 50 W
F = 500 MHz的
F = 1.0 MHz的
最小典型最大
30
60
4.0
52
10
7.5
8.5
55
单位
V
V
V
pF
---
dB
%
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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