MRF5812
NPN硅射频微波晶体管
描述：
该
ASI MRF5812
是专为
大电流，低功耗，低噪音，
放大器高达1.0 GHz的。
封装形式SO- 8
产品特点：
•
低噪声 - 2.5 dB的500兆赫
•
Ftau - 5.0 GHz的@ 10 V ， 75毫安
•
成本效益的SO- 8封装
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
200毫安
30 V
15 V
2.5 V
为1.25W @ T
C
= 25 °C
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
F
头
NF
民
G
NF
G
ü最大
味精
2
|S
21
|
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
- 0.1毫安
V
CB
= 15 V
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 75毫安
I
C
= 50毫安
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 GHz的
最小典型最大
30
15
2.5
0.1
0.1
50
1.4
5.0
2.0
13
3.0
200
2.0
单位
V
V
V
mA
mA
---
pF
GHz的
dB
%
dB
dB
dB
V
CE
= 10 V
I
C
= 50毫安
F = 500 MHz的
15.5
17.8
20
15
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
•
北好莱坞， CA 91605
•
(818) 982-1200
•
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
