MRF646 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MRF646
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内容描述：	NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体射频双极晶体管局域网
文件页数/大小：	1 页 / 33 K
品牌：	ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]

MRF646

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI MRF646

被设计为12.5

超高频大信号应用最多

512兆赫。

包装样式0.500 6L FLG

2个0：N

FU LL ř

产品特点：

•

内部输入匹配网络

•

= 4.8分贝在45 W / 470 MHz的

•

Omnigold ™

金属化系统

•

共射， 12.5 V工作电压

ð IM

.725/18,42

M IN IM ü M

英寸/ M M

M AX IM ü M

英寸/ M M

最大额定值

CBO

首席执行官

EBO

DISS

英镑

9.0 A

36 V

16 V

4.0 V

117 W¯¯ @ T

= 25°C

-65℃ 〜+ 200 ℃，

-65 ° C至+150°C

1.5 ° C / W

.150 / 3.43

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.125 / 3.18

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.120 / 3.05

.160 / 4.06

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

1 = COLLECTOR

2 - 基

3&4 =辐射源

特征

符号

首席执行官

CES

EBO

CES

= 20毫安

= 5.0毫安

= 15 V

= 25 °C

NONETEST

条件

最小典型最大

4.0

单位

---

= 5.0 V

= 12.5 V

= 4.0 A

F = 1.0 MHz的

OUT

= 45 W

F = 470 MHz的

4.8

5.4

150

125

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

•

北好莱坞， CA 91605

•

(818) 982-1200

•

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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