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MS2441图片预览
型号: MS2441
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内容描述: NPN硅射频功率晶体管 [NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管射频
文件页数/大小: 3 页 / 53 K
品牌: ASI [ ADVANCED SEMICONDUCTOR ]
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MS2441
NPN硅射频功率晶体管
描述:
ASI MS2441
是硅NPN电源
晶体管,设计用于高功率和
低占空比DME和敌我识别应用程序。
包装风格.400 2L FLG ( A)
4x .062 x 45°
2xB
A
.040 x 45°
C
F
E
产品特点:
内部输入/输出匹配网络
P
G
= 6.5分贝400W / 1150兆赫
Omnigold ™
金属化系统
暗淡
D
G
H
J
K
P
2xR
I
L
N
M
M IN IM UM
英寸/ M M
M A XIM UM
英寸/ M M
最大额定值
I
C
V
CBO
V
CES
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
22 A
65 V
65 V
1458 W¯¯ @ T
C
= 25 °C
-65℃ 〜+ 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
0.12 C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.135 / 3.43
.100 / 2.54
.050 / 1.27
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.490 / 12.45
.100 / 2.54
.690 / 17.53
.890 / 22.61
.003 / 0.08
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.145 / 3.68
.120 / 3.05
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
.510 / 12.95
.710 / 18.03
.910 / 23.11
.006 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
常见的基本配置
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 25毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
P
IN
= 90 W
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
65
65
3.5
25
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
I
C
= 0.25 A
P
OUT
= 400 W
F = 1025年至1150年兆赫
10
6.5
40
200
脉冲宽度= 10微秒,占空比= 1 %
A D V A N c个E D​​性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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